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IC为何不能成为当代功放的主流? [复制链接]

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积习难改啊
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低温 在 2005-9-19 23:57:20 发表的内容
问题的核心有两个,一是耐压,二是耐热。

俺以前做过一个瑞典设计的Hi-Fi前级,+/-35V,加到IC上就是70V,在微小的空间上,IC很容易击穿,
那么只有降低要求以换取安全条件下的小体积;
另一个问题是散热,功放的热量是众所周知,越大的功放散发的热量越高,这就给散热带来严重的问题,分立功放的末级功率管都是单一独力散热的,就这样经常还出现散热不足导致器件失效,
而IC是把夺疙瘩功率管封装在一个片子里,剧烈的冷热冲击带来的最大问题就是冷拉断导致的器件失效;
同时,功放的差分放大电路最怕热,一旦过热稳定性就变差,
为了保证IC器件的可靠性,需要加大负反馈深度,否则极易烧片,这又和发烧的理念背道而驰。


低温兄的说法小弟以为有点想象化了。小弟一部分认同,一部分观点相左

1。耐压和温度是所有半导体器件所面临的难题。胎里面的东西
2。确实是间距越小,越容易击穿。但是,反之不成立
3。散热和导热片有关,这一点分立器件比IC要好。所以一般的功率IC的静态电流都不大
4。冷热的冲击导致的收缩变化一般是不会导致拉断失效。分立器件也面临同样的问题
5。IC的差分电路性能要比分立的好很多。两个差分管的距离通常在百分之一毫米之内。所以它的一致性要好很多。但是对于非差分部分,热稳定性就不好了,所以在设计的时候,内部会有很多的补偿结构。
6。不太清楚加大负反馈和烧片的关系

以上仅是个人浅见
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低温 在 2005-9-20 23:43:22 发表的内容

低温兄的说法小弟以为有点想象化了。小弟一部分认同,一部分观点相左

1。耐压和温度是所有半导体器件所面临的难题。胎里面的东西
2。确实是间距越小,越容易击穿。但是,反之不成立
3。散热和导热片有关,这一点分立器件比IC要好。所以一般的功率IC的静态电流都不大
4。冷热的冲击导致的收缩变化一般是不会导致拉断失效。分立器件也面临同样的问题
5。IC的差分电路性能要比分立的好很多。两个差分管的距离通常在百分之一毫米之内。所以它的一致性要好很多。但是对于非差分部分,热稳定性就不好了,所以在设计的时候,内部会有很多的补偿结构。
6。不太清楚加大负反馈和烧片的关系

以上仅是个人浅见


呵呵,俺这块大砖头终于砸出个神仙来,你是华晶的么?
关于功率器件失效俺是根据多年维修经验得出的结论,这不符合统计规律,其中应细分类;粗分大致有两类,因为冷拉断的俺见得比较多,还有一类估计是封装热收缩漏气导致的失效。

关于反馈和烧片的关系俺的理解是这样,由于IC中晶体管的一致性非常好,设计晶体管电路比加高值的阻、容器件实现起来要容易,所以电路中大把的使用晶体管以实现替代阻、容元件的效果,电路中放大电路多、差分对管多,其中不少设计的目的是提供热补偿;一般IC回路的增益设计得比较高,比较容易自激;出于这两个目的,IC功放的负反馈加得很深,以获得稳定的工作空间,IC功放的特点是一旦外部负反馈回路开路,电路很容易自激烧毁。
另外,IC功放几乎都是OTL,实际上反映出对电路的稳定性没信心,其中主要是热稳定----零漂。
因此,IC用在发烧系统上,通常都是小范围的运放之类的简单电路,最复杂的就是控制电路,连电子音量控制、电控转换开关在上档次的机器里使用的都十分小心,不少还是马达控制的步进电位器、继电器,IC器件毕竟是高阻器件。

俺纯属乱扔砖头,盼着能捡回块大玉,见笑了。


低温兄厉害,把我的老窝都猜出来了。
IC功放用OTL另一方面的考虑是成本。要在一个芯片上同时做两个npn和pnp功率管难度比较大,费用也很高。

回到主题,IC很少用在功放上,我想:
1。如老浦东兄所说,显得没档次,这种看法在我们中国这边好像非常严重
2。任何电路要想出好声,必须要仔细校声。IC什么都固定了,相比较而言,要想调教出好声,外围电路的调教很考验功力。相反,分立电路调整就比较方便。
3。没有HI-FI IC功放的传统文化

偶本来也是很排斥IC的,但是看了linn, jeff, goldmud公房的内部之后,偶开始反思。偏见原来是如此的深(包括对开关电源)
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小弟初烧,惭愧。只是工作和IC制造有关而已。浦东兄以后要多多指点。
最后编辑ele-tube
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