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laovo
ele-tube 在 2005-9-20 11:47:40 发表的内容 低温 在 2005-9-19 23:57:20 发表的内容 问题的核心有两个,一是耐压,二是耐热。 俺以前做过一个瑞典设计的Hi-Fi前级,+/-35V,加到IC上就是70V,在微小的空间上,IC很容易击穿,那么只有降低要求以换取安全条件下的小体积;另一个问题是散热,功放的热量是众所周知,越大的功放散发的热量越高,这就给散热带来严重的问题,分立功放的末级功率管都是单一独力散热的,就这样经常还出现散热不足导致器件失效,而IC是把夺疙瘩功率管封装在一个片子里,剧烈的冷热冲击带来的最大问题就是冷拉断导致的器件失效;同时,功放的差分放大电路最怕热,一旦过热稳定性就变差,为了保证IC器件的可靠性,需要加大负反馈深度,否则极易烧片,这又和发烧的理念背道而驰。低温兄的说法小弟以为有点想象化了。小弟一部分认同,一部分观点相左1。耐压和温度是所有半导体器件所面临的难题。胎里面的东西2。确实是间距越小,越容易击穿。但是,反之不成立3。散热和导热片有关,这一点分立器件比IC要好。所以一般的功率IC的静态电流都不大4。冷热的冲击导致的收缩变化一般是不会导致拉断失效。分立器件也面临同样的问题5。IC的差分电路性能要比分立的好很多。两个差分管的距离通常在百分之一毫米之内。所以它的一致性要好很多。但是对于非差分部分,热稳定性就不好了,所以在设计的时候,内部会有很多的补偿结构。6。不太清楚加大负反馈和烧片的关系以上仅是个人浅见
低温 在 2005-9-19 23:57:20 发表的内容 问题的核心有两个,一是耐压,二是耐热。 俺以前做过一个瑞典设计的Hi-Fi前级,+/-35V,加到IC上就是70V,在微小的空间上,IC很容易击穿,那么只有降低要求以换取安全条件下的小体积;另一个问题是散热,功放的热量是众所周知,越大的功放散发的热量越高,这就给散热带来严重的问题,分立功放的末级功率管都是单一独力散热的,就这样经常还出现散热不足导致器件失效,而IC是把夺疙瘩功率管封装在一个片子里,剧烈的冷热冲击带来的最大问题就是冷拉断导致的器件失效;同时,功放的差分放大电路最怕热,一旦过热稳定性就变差,为了保证IC器件的可靠性,需要加大负反馈深度,否则极易烧片,这又和发烧的理念背道而驰。